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100V双NMOS 40H10 PDFN5X6-8L
100V双NMOS 40H10 PDFN5X6-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:40H10
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:马达用N+N场效应管 100V双NMOS 40H10 PDFN5X6-8L 中压替代MOS
咨询热线:0769-89027776

产品详情


马达用N+N场效应管 100V双NMOS 40H10 PDFN5X6-8L 中压替代MOS



100V双NMOS 40H10的电特性:

  • VDS=100V

  • ID=40A

  • RDS(ON)<20mΩ@VGS=10V(Type:14mΩ)

  • 封装:PDFN5X6-8L



100V双NMOS 40H10的应用领域:

  • 消费类电子电源

  • 电机控制



100V双NMOS 40H10的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压100
V
VGS栅极-源极电压±20
ID

漏极电流-连续 TC=25℃

40A
IDM漏极电流-脉冲120
EAS单脉冲雪崩能量57mJ
PD总耗散功率 TC=25℃71W
RθJA结到环境的热阻25℃/W
RθJC结到管壳的热阻1.76
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



100V双NMOS 40H10的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压100107
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=10A


1420
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=7A


1825
VGS(th)
栅极开启电压1.21.52.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
IDSS零栅压漏极电流

1uA
Qg栅极电荷
16.2
nC
Qgs栅源电荷密度

2.8
Qgd栅漏电荷密度
4.1
Ciss输入电容
1003.9
pF
Coss输出电容
185.4
Crss反向传输电容
9.8
td(on)开启延迟时间
16.6
ns
tr开启上升时间

3.8


td(off)关断延迟时间
75.5
tf
开启下降时间
46


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