常用MOSFET 25N04 SOP-8 7mΩ 超低内阻NMOS管 贴片低压MOS

常用MOSFET 25N04的产品特点：

• V_DS=40V

• I_D=25A

• R_DS(ON)＜7mΩ@V_GS=10V(Type：5.5mΩ)

• 封装：SOP-8
  

常用MOSFET 25N04的产品应用：

• 电池保护

• 负载开关

• UPS 不间断电源
  

常用MOSFET 25N04的极限参数：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：40V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：25.5A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：75A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：176mJ

• 雪崩电流 I_AS：39A

• 总耗散功率 P_D：1.5W

• 结到环境的热阻 R_θJA：85℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：28℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

常用MOSFET 25N04的电特性：

(如无特殊说明，T_C=25℃)