超小封装MOS 20N02 QFN2X2-6L 20V低压NMOS 15mΩ 太阳能路灯用MOS
超小封装MOS 20N02的应用领域：
太阳能路灯
负载开关
UPS 不间断电源
QFN2X2-6L
超小封装MOS 20N02的引脚配置图：
超小封装MOS 20N02的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：20V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：20A
漏极电流-脉冲 IDM：50A
单脉冲雪崩能量 EAS：8.1mJ
雪崩电流 IAS：12.7A
总耗散功率 PD：20.8W
结到环境的热阻 RθJA：125℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：6℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
超小封装MOS 20N02的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| V(BR)DSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=7.6A | 11 | 15 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=3.5A | 15.5 | 20 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=1.8V,ID=2.5A | 20.5 | 35 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.65 | 1 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=20V，VGS=0V | 1 | uA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11.05 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.73 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 888 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 133 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 117 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 46 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 30 | |||
| tf | 开启下降时间 | 52 |
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