12mΩ 低内阻MOS 20H03 PDFN5X6-8L N+N沟道MOS管 快充用场效应管

低内阻MOS 20H03的特点：

• V_DS=30V

• I_D=24.7A

• R_DS(ON)＜12mΩ@V_GS=10V(Type：8.5mΩ)

• PDFN5X6-8L
  

低内阻MOS 20H03的应用领域：

• 锂电池保护

• 手机快充
  

低内阻MOS 20H03的管脚图：

低内阻MOS 20H03的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：30V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：24.7A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：92A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：57.8mJ

• 雪崩电流 I_AS：13A

• 总耗散功率 P_D：19.2W

• 结到环境的热阻 R_θJA：62℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：6.5℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

低内阻MOS 20H03的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)