场效应管价格 18N03 TO-252 MCU驱动用MOS管 30V/18A 低内阻MOS
低内阻MOS 18N03的引脚图：
低内阻MOS 18N03的特点：
VDS=30V
ID=18A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V(Type：18mΩ)
RDS(ON)＜31mΩ@VGS=4.5V(Type：21mΩ)
封装：TO-252
低内阻MOS 18N03的应用领域：
3.3V MCU 驱动器
负载开关
UPS 不间断电源
低内阻MOS 18N03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 18 | A |
| ID | 漏极电流-连续 TA=70℃ | 12 | |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 50 | |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 20.8 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
低内阻MOS 18N03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A | 18 | 25 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 21 | 31 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=1A | 30 | 49 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.9 | 1.3 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 530 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 130 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 36 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 47 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 26 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8 |
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