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15P10 TO-251 -100V P沟道MOS管
15P10 TO-251 -100V P沟道MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:15P10
产品封装:TO-251
产品标题:宇芯微 常用MOSFET 15P10 TO-251 -100V P沟道MOS管 UPS用场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


宇芯微 常用MOSFET 15P10 TO-251 -100V P沟道MOS管 UPS用场效应管



常用MOSFET 15P10的应用领域:

  • 无刷马达

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



常用MOSFET 15P10的引脚图:

blob.png



常用MOSFET 15P10的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-100V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-15A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-45A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:56mJ

  • 雪崩电流 IAS:-15A

  • 总耗散功率 PD:50W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62.5℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:2.5℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



常用MOSFET 15P10的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-100

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-2A


145185
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-1A


170200
VGS(th)
栅极开启电压-1
-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
27
nC
Qgs栅源电荷密度

5.3
Qgd栅漏电荷密度
3.2
Ciss输入电容
1545
pF
Coss输出电容
37
Crss反向传输电容
25
td(on)开启延迟时间
10
ns
tr开启上升时间

27


td(off)关断延迟时间
288
tf
开启下降时间
88


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