国产替代MOS管 10N10 SOP-8 100V NMOSFET 照明用场效应管

国产替代MOS管 10N10的产品特点：

• V_DS=100V

• I_D=12.3A

• R_DS(ON)＜110mΩ@V_GS=10V(Type：93mΩ)

• 封装：SOP-8

国产替代MOS管 10N10的应用领域：

• 汽车照明

• 负载开关

• PSE
  

国产替代MOS管 10N10的极限参数：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：100V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：12.3A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：24A

• 总耗散功率 P_D：30W

• 结到环境的热阻 R_θJA：85℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：5.1℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

国产替代MOS管 10N10的电特性：

(如无特殊说明，T_j=25℃)