100V/12A 中压场效应管 10H10 SOP-8 双N沟道MOS管 快充用MOSFET

快充用MOSFET 10H10的特点：

• V_DS=100V

• I_D=12A

• R_DS(ON)＜100mΩ@V_GS=10V(Type：72mΩ)

• 封装：SOP-8
  

快充用MOSFET 10H10的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：100V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：12A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：36A

• 总耗散功率 P_D：1.5W

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：6.1mJ
  

• 结到环境的热阻 R_θJA：85℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：5.1℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

快充用MOSFET 10H10的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)