低压双PMOS管 8V06 SOP-8 -60V/-8A P+P场效应管 电源MOSFET

低压双PMOS管 8V06的引脚配置图：

低压双PMOS管 8V06的特点：

• V_DS=-60V

• I_D=-8A

• R_DS(ON)＜80mΩ@V_GS=-10V(Type：60mΩ)

• 封装：SOP-8

低压双PMOS管 8V06的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：-60V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：-8A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：-30A

• 总耗散功率 P_D：1.5W

• 结到环境的热阻 R_θJA：70℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：36℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

低压双PMOS管 8V06的电特性：

(如无特殊说明，T_A=25℃)