-30V P+P沟道MOS管 8V03 SOP-8 国产MOSFET 贴片MOS选型

P+P沟道MOS管 8V03的产品特点：

• V_DS=-30V

• I_D=-10A

• R_DS(ON)＜25mΩ@V_GS=10V(Type：16mΩ)

• 封装：SOP-8
  

P+P沟道MOS管 8V03的应用：

• 锂电池保护

• 手机快充
  

P+P沟道MOS管 8V03的极限值：

(如无特殊说明，T_A=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：-30V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：-10A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：-32A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：81.2mJ

• 总耗散功率 P_D：1.5W

• 结到环境的热阻 R_θJA：85℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：25℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

P+P沟道MOS管 8V03的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)