低压MOS管 6P03 SOT89-3L 国产替代PMOS 小封装场效应管
低压MOS管 6P03的产品特点：
VDS=-30V
ID=-6A
RDS(ON)＜55mΩ@VGS=-10V(Type：40mΩ)
封装：SOT89-3L
低压MOS管 6P03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -6 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | -3.3 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -20.4 | |
| PD | 总耗散功率(TA=25℃) | 2.15 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 70 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
低压MOS管 6P03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-5A | 40 | 55 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 65 | 90 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 6.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 596 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 95 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 68 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 14 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 61 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 19 | |||
| tf | 开启下降时间 | 10 |
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