NMOS管 6N03 SOT23-6 30V/6A 常用低压MOS 国产替换场效应管
常用低压MOS 6N03的应用：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
常用低压MOS 6N03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：30V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续 ID：6A
漏极电流-脉冲 IDM：30A
总耗散功率 PD：1.5W
结到环境的热阻 RθJA：125℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：30℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
常用低压MOS 6N03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A | 20 | 28 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 25 | 32 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=1A | 36 | 45 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.9 | 1.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | μA | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 6 | 8.4 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.5 | 3.5 | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.1 | 2.9 | ||
| Ciss | 输入电容 | 572 | 800 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 81 | 112 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 65 | 91 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 2.4 | 4.8 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 7.8 | 14 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 22 | 44 | ||
| tf | 开启下降时间 | 4 | 8 |
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