15N10 TO-251 100V 国产常用NMOS 电源场效应管 MOS管选型
国产常用NMOS 15N10的产品特点：
VDS=100V
ID=14.1A
RDS(ON)＜105mΩ@VGS=10V
封装：TO-251
国产常用NMOS 15N10的应用场合：
负载开关
PWM 应用
电源管理
国产常用NMOS 15N10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 14.1 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 8.1 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 28 | |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 20.8 | W |
| 总耗散功率(TA=25℃) | 2 | ||
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 8 | mJ |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 6 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
国产常用NMOS 15N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | 107 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 88 | 105 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=8A | 93 | 125 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 2 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 12 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 610 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 40 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 25 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 16 | |||
| tf | 开启下降时间 | 6 |
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