宇芯微 电源用场效应管 80P06 TO-263 低内阻MOS管 常用国产MOS
低内阻MOS管 80P06的产品应用：
锂电池保护
开关电源
UPS 不间断电源
低内阻MOS管 80P06的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -60 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | -82 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | -52 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -328 | |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 110 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 0.70 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 60 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
低内阻MOS管 80P06的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -60 | -67 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-2A | 110 | 130 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-1.5A | 140 | 190 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 5.9 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.9 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 715 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 51 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 34 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 17 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 22 | |||
| tf | 开启下降时间 | 21 |
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