N型MOSFET 110N04 TO-252 大电流MOS管 4.3mΩ低内阻MOS
N型MOSFET 110N04的产品应用：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
N型MOSFET 110N04的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：110A
漏极电流-脉冲 IDM：440A
单脉冲雪崩能量 EAS：195mJ
雪崩电流 IAS：42A
总耗散功率 PD：108W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.4℃/W
N型MOSFET 110N04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 3.5 | 4.3 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 5.4 | 7.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 65 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 12.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 15 | |||
| Ciss | 输入电容 | 5595 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 411 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 340 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 16 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 39 | |||
| tf | 开启下降时间 | 15 |
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