通用MOSFET 6N04 SOT89-3L 小封装低压MOS 40mΩ LED用MOS管
通用MOSFET 6N04的特点：
VDS=40V
ID=6A
RDS(ON)＜40mΩ@VGS=10V(Type：28mΩ)
封装形式：SOT89-3L
通用MOSFET 6N04的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：6A
漏极电流-脉冲 IDM：18A
总耗散功率 PD：1.67W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：30℃/W
结到环境的热阻 RθJA：125℃/W
通用MOSFET 6N04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | 44 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=4A | 28 | 40 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 35 | 50 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.54 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.84 | |||
| Ciss | 输入电容 | 452 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 51 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 38 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 2.1 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 29 | |||
| tf | 开启下降时间 | 2.1 |
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