常用场效应管 NMOS管 8N10 SOT223-3L 100V/8A 国产低压MOS
国产低压MOS 8N10的引脚图：
国产低压MOS 8N10的应用领域：
锂电保护
负载开关
UPS 不间断电源
国产低压MOS 8N10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 8 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 6.5 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 24 | |
| PD | 总耗散功率(TC=25℃) | 30 | W |
| 总耗散功率(TA=25℃) | 2.7 | ||
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 100 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 40 | A |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 100 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 5.1 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
国产低压MOS 8N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | 107 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A | 88 | 110 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 96 | 140 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 12 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 765 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 38 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 33 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 16 | |||
| tf | 开启下降时间 | 6 |
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