低压场效应管 超小封装PMOS MTP1013C3 SOT-523 523封装P管
超小封装PMOS MTP1013C3的产品特点：
BVDSS：-20V
ID：-0.5A
RDS(ON)：0.63Ω(typ)@VGS=-4.5V
超小封装：SOT-523
超小封装PMOS MTP1013C3的极限参数：
如无特殊说明，TJ=25℃
漏极-源极电压 VDS：-20V
栅极-源极电压 VGS：±8V
漏极电流-连续 ID：-0.5A
漏极电流-脉冲 IDM：-2A
总耗散功率 PD：280W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
超小封装PMOS MTP1013C3的电特性：
如无特殊说明，TJ=25℃
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-500mA | 0.63 | 0.9 | Ω | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-300mA | 1.1 | 1.4 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=-1.8V,ID=-10mA | 1.7 | 2.7 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.5 | -1.2 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±2 | μA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 1.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 0.28 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 0.44 | |||
| Ciss | 输入电容 | 59 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 21 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 15 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 42 | |||
| tf | 开启下降时间 | 14 |
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