国产MOS选型 120N12 PDFN5X6-8L 120V 中低压MOS管 MOSFET应用
中低压MOS管 120N12的产品特点：
VDS=120V
ID=120A
RDS(ON)＜7.5mΩ@VGS=10V
封装：PDFN5X6-8L
中低压MOS管 120N12的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
中低压MOS管 120N12的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 120 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 120 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | 70 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 320 | |
| PD | 总耗散功率 | 125 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 240 | mJ |
| IAR | 单脉冲雪崩电流 | 40 | A |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 50 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
中低压MOS管 120N12的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 120 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 6 | 6.8 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2.5 | 3 | 3.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 61.4 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 17.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 14.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 4282 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 429 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 17 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 20 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 11 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 55 | |||
| tf | 开启下降时间 | 28 |
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