-20V 双P沟道MOS 4953B SOP-8 MOSFET报价 锂电池MOS
双P沟道MOS 4953B的管脚配置图：
双P沟道MOS 4953B的应用领域：
锂电池保护
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双P沟道MOS 4953B的极限值：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | -6.5 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | -3.9 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -14 | |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 25 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
双P沟道MOS 4953B的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-3.4A | 42 | 55 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-3A | 55 | 75 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=-1.8V,ID=-2.5A | 85 | 100 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.4 | -0.62 | -1.2 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 5.41 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.17 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.24 | |||
| Ciss | 输入电容 | 438 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 76 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 62 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 6.4 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 21.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 37.4 | |||
| tf | 开启下降时间 | 34 |
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