宇芯微 低压MOSFET 3416 SOT-23 20V/6.8A 手机快充MOS管
低压MOSFET 3416的产品特点：
VDS=20V
ID=6.8A
RDS(ON)＜22mΩ@VGS=4.5V(Type:15mΩ)
封装：SOT-23
低压MOSFET 3416的应用领域：
锂电池保护
手机快充
低压MOSFET 3416的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 6.8 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | 6 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 30 | |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
低压MOSFET 3416的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=4A | 15 | 22 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=3A | 20 | 30 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.65 | 1 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | μA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 780 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 140 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 80 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 9 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 30 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 35 | |||
| tf | 开启下降时间 | 10 |
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