MOS管2311 国产低功耗MOS 2311 SOT23-3L 低压PMOS管
低压PMOS管 2311的引脚图：
低压PMOS管 2311的产品特点：
VDS=-12V
ID=-7A
RDS(ON)＜24mΩ@VGS=4.5V(Type：19mΩ)
封装：SOT23-3L
低压PMOS管 2311的产品应用：
电子烟
负载开关
低压PMOS管 2311的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-12V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续 ID：-5.8A
漏极电流-脉冲 IDM：-22A
总耗散功率 PD：1.6W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到环境的热阻 RθJA：125℃/W
低压PMOS管 2311的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -12 | -18 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-6A | 18 | 24 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-5.2A | 20 | 26 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-4.2A | 28 | 35 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.5 | -0.65 | -1 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1100 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 390 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 300 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 25 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 45 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 72 | |||
| tf | 开启下降时间 | 60 |
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