宇芯微 5.5mΩ 低压场效应管 150N10 TO-263 DC转换MOS管
低压场效应管 150N10的引脚图
低压场效应管 150N10的应用领域：
DC/DC 转换器
LED 照明
电源管理开关
低压场效应管 150N10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：150A
漏极电流-脉冲 IDM：420A
单脉冲雪崩能量 EAS：250mJ
雪崩电流 IAS：53.4A
总耗散功率 PD：148W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：62℃/W
结到环境的热阻 RθJA：0.84℃/W
低压场效应管 150N10的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 4.2 | 5.5 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 75 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 17 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 13 | |||
| Ciss | 输入电容 | 4400 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 645 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 20 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 15.4 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 13 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 34 | |||
| tf | 开启下降时间 | 6.2 |
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