100VNMOS管 150N10 TO-220 LED照明MOS管 插件场效应管
100VNMOS管 150N10的应用领域：
VDS=100V
ID=150A
RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=10V(Type：4.2mΩ)
封装：TO-220
100VNMOS管 150N10的应用领域：
DC/DC 转换器
LED 照明
电源管理开关
100VNMOS管 150N10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 150 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | 110 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 420 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 250 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 53.4 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 148 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 0.84 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 62 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
100VNMOS管 150N10的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 4.2 | 5.5 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 75 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 17 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 13 | |||
| Ciss | 输入电容 | 4400 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 645 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 20 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 15.4 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 13 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 34 | |||
| tf | 开启下降时间 | 6.2 |
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