国产NMOS管 120N12 TO-263 120V小内阻MOS 电池保护MOS
国产NMOS管 120N12的特点：
VDS=120V
ID=120A
RDS(ON)＜8.5mΩ@VGS=10V
封装：TO-263
国产NMOS管 120N12的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
国产NMOS管 120N12的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：120V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：120A
漏极电流-脉冲 IDM：320A
单脉冲雪崩能量 EAS：240mJ
雪崩电流 IAS：40A
总耗散功率 PD：125W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：0.89℃/W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
国产NMOS管 120N12的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 120 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 6.8 | 8.5 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2.5 | 3 | 3.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 130 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 61.4 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 17.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 14.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 4282 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 429 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 17 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 20 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 11 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 55 | |||
| tf | 开启下降时间 | 28 |
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