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大电流NMOS管 110N08 TO-220
大电流NMOS管 110N08 TO-220
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:110N08
产品封装:TO-220
产品标题:大电流NMOS管 110N08 TO-220 6.5mΩ 增强型MOS管 MOSFET选型
咨询热线:0769-89027776

产品详情


大电流NMOS管 110N08 TO-220 6.5mΩ 增强型MOS管 MOSFET选型



大电流NMOS管 110N08的特点:

  • VDS=85V

  • ID=110A

  • RDS(ON)<6.5mΩ@VGS=10V(Type:5.2mΩ)

  • 封装:TO-220



大电流NMOS管 110N08的产品应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



大电流NMOS管 110N08的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:85V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:110A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:450A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:552mJ

  • 总耗散功率 PD:158W

  • 存储温度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作结温 TJ:-55~+150℃

  • 结到管壳的热阻 RθJC:62℃/W

  • 结到环境的热阻 RθJA:0.74℃/W



大电流NMOS管 110N08的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压8592
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=50A,Tj=25℃


5.26.5
VGS(th)
栅极开启电压234V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
72
S
Qg栅极电荷
56.6
nC
Qgs栅源电荷密度

21.4


Qgd栅漏电荷密度
12.5
Ciss输入电容
3475
pF
Coss输出电容
770
Crss反向传输电容
25
td(on)开启延迟时间
17.3
ns
tr开启上升时间

33


td(off)关断延迟时间
38.9
tf
开启下降时间
18.1


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