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80P04 TO-252 常用P沟道MOS管
80P04 TO-252 常用P沟道MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:80P04
产品封装:TO-252
产品标题:贴片MOS中文资料 80P04 TO-252 常用P沟道MOS管 大功率场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


贴片MOS中文资料 80P04 TO-252 常用P沟道MOS管 大功率场效应管



大功率场效应管 80P04的产品特点:

  • VDS=-40V

  • ID=-80A

  • RDS(ON)<10mΩ@VGS=-10V(Type:7mΩ)

  • 封装:TO-252



大功率场效应管 80P04的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



大功率场效应管 80P04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-80A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-280A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:500mJ

  • 雪崩电流 IAS:-50A

  • 总耗散功率 PD:52.1W

  • 存储温度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作结温 TJ:-55~+150℃

  • 结到管壳的热阻 RθJC:2.4℃/W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W



大功率场效应管 80P04的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-40-44
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-12A


710
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-12A


915
VGS(th)
栅极开启电压-1.2-1.8-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
20
S
Qg栅极电荷
27.9
nC
Qgs栅源电荷密度

7.7


Qgd栅漏电荷密度
7.5
Ciss输入电容
6500
pF
Coss输出电容
790
Crss反向传输电容
605
td(on)开启延迟时间
40
ns
tr开启上升时间

35.2


td(off)关断延迟时间
100
tf
开启下降时间
9.6


贴片MOS中文资料 80P04 TO-252 常用P沟道MOS管 大功率场效应管


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