80P02 PDFN3X3-8L 低内阻PMOS管 -20/-80A MOSFET器件 MOS管引脚图
低内阻PMOS管 80P02的产品特点：
VDS=-20V
ID=-80A
RDS(ON)＜6mΩ@VGS=-4.5V(Type：4.8mΩ)
封装：PDFN3X3-8L
低内阻PMOS管 80P02的应用领域：
电池保护
负载开关
电子烟
低内阻PMOS管 80P02的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -80 | A |
漏极电流-连续 TC=70℃ | -35 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -140 | |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 30 | W |
总耗散功率 TC=70℃ | 19 | ||
| RθJA | 结到环境的热阻 | 83 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 4.5 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
低内阻PMOS管 80P02的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | -22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-20A | 4.8 | 6 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=10A | 6 | 8 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.45 | -0.65 | -1 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 20 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 55 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 10 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 15 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3000 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 650 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 500 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 15.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 76.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 193 | |||
| tf | 开启下降时间 | 186.4 |
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