68VN沟道MOS管 80N07 TO-263 大功率MOS管 常用MOSFET
常用MOSFET 80N07的产品特点：
VDS=68V
ID=80A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=10V(Type：7.2mΩ)
封装：TO-263
常用MOSFET 80N07的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：68V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：80A
漏极电流-脉冲 IDM：320A
单脉冲雪崩能量 EAS：110mJ
雪崩电流 IAR：22A
总耗散功率 PD：103W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：1.46℃/W
结到环境的热阻 RθJA：63℃/W
常用MOSFET 80N07的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 68 | 72 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 7.2 | 9 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 35 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 11 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 400 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 267 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 250 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 15 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 90 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 45 | |||
| tf | 开启下降时间 | 30 |
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