650V/12A 国产高压MOS 12N65 TO-220F 塑封场效应管 NMOS管

塑封场效应管 12N65的产品特点：

• V_DS=650V

• I_D=12A

• R_DS(ON)＜0.72Ω@V_GS=10V(Type：0.6Ω)

• 封装：TO-220F

塑封场效应管 12N65的应用领域：

• UPS 不间断电源

• PFC 功率因素校正

塑封场效应管 12N65的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：650V

• 栅极-源极电压 V_GS：±30V

• 漏极电流-连续 I_D：12A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：44A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：304mJ

• 雪崩电流 I_AR：7.7A

• 重复雪崩能量 E_AR：65mJ
  

• 总耗散功率 P_D：32.1W

• 存储温度 T_STG：-55~+150℃

• 工作结温 T_J：-55~+150℃

• 结到管壳的热阻 R_θJC：1.92℃/W

• 结到环境的热阻 R_θJA：62.5℃/W

塑封场效应管 12N65的电特性：

(如无特殊说明，T_j=25℃)