650V高压MOS管 12N65 TO-220 N型MOSFET 大功率场效应管
N型MOSFET 12N65的产品特点：
VDS=650V
ID=12A
RDS(ON)＜0.72Ω@VGS=10V(Type：0.6Ω)
封装：TO-220
N型MOSFET 12N65的应用领域：
UPS 不间断电源
PFC 功率因素校正
N型MOSFET 12N65的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 650 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 12 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 44 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 304 | mJ |
| IAR | 雪崩电流 | 7.7 | A |
| EAR | 重复雪崩能量 | 65 | mJ |
| PD | 总耗散功率 | 32.1 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.92 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
N型MOSFET 12N65的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 650 | 685 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5.5A | 0.6 | 0.72 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3.5 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 46 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 23 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1528 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 147 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 16 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 43 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 29 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 196 | |||
| tf | 开启下降时间 | 51 |
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