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80N07 TO-220F 塑封N沟道MOS管
80N07 TO-220F 塑封N沟道MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:80N07
产品封装:TO-220F
产品标题:68V/80A 国产大电流MOS 80N07 TO-220F 塑封NMOS 电池保护MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


68V/80A 国产大电流MOS 80N07 TO-220F 塑封NMOS 电池保护MOS管



塑封NMOS 80N07的产品特点:

  • VDS=68V

  • ID=80A

  • RDS(ON)<9mΩ@VGS=10V(Type:7.2mΩ)

  • 封装:TO-220F



塑封NMOS 80N07的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



塑封NMOS 80N07的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:68V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:80A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:320A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:110mJ

  • 雪崩电流 IAS:22A

  • 总耗散功率 PD:103W

  • 结到环境的热阻 RθJA:63℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.46℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



塑封NMOS 80N07的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6872
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=10A


7.59
VGS(th)
栅极开启电压234V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
35
nC
Qgs栅源电荷密度

11


Qgd栅漏电荷密度
9
Ciss输入电容
400
pF
Coss输出电容
267
Crss反向传输电容
250
td(on)开启延迟时间
15
ns
tr开启上升时间

90


td(off)关断延迟时间
45
tf
开启下降时间
30


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