宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » 40VNMOS管 80N04 TO-263

产品分类

Product Categories
40VNMOS管 80N04 TO-263
40VNMOS管 80N04 TO-263
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:80N04
产品封装:TO-263
产品标题:40VNMOS管 80N04 TO-263 国产通用MOS 场效应管生产厂家
咨询热线:0769-89027776

产品详情


40VNMOS管 80N04 TO-263 国产通用MOS 场效应管生产厂家



40VNMOS管 80N04的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



40VNMOS管 80N04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压40
V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续 TC=25℃80A
漏极电流-连续 TC=100℃45
IDM漏极电流-脉冲120
EAS单脉冲雪崩能量76.1mJ
IAS雪崩电流39A
PD总耗散功率 TC=25℃44.6W
RθJA
结到环境的热阻62℃/W
RθJC结到管壳的热阻1.44
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



40VNMOS管 80N04的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4047
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=12A


67.5
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=10A


912
VGS(th)
栅极开启电压11.52.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
39
S
Qg栅极电荷
18.8
nC
Qgs栅源电荷密度

4.7


Qgd栅漏电荷密度
8.2
Ciss输入电容
2332
pF
Coss输出电容
193
Crss反向传输电容
138
td(on)开启延迟时间
14.3
ns
tr开启上升时间

2.6


td(off)关断延迟时间
77
tf
开启下降时间
4.8


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map