PMOSFET 50P04 PDFN5X6-8L 低压MOS管 13mΩ 贴片场效应管
低压MOS管 50P04的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
低压MOS管 50P04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -50 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | -32 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -105 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 146 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | -54 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 52.1 | W |
总耗散功率 TA=25℃ | 2 | ||
| RθJA | 结到环境的热阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.4 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
低压MOS管 50P04的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | -44 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-30A | 10.5 | 13 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=20A | 15 | 20 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 24 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 27.9 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3500 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 323 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 222 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 40 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 35.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 100 | |||
| tf | 开启下降时间 | 9.6 |
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