30VNMOS 50N03 PDFN3X3-8L 手机快充场效应管 12mΩ 低内阻MOS

低内阻MOS 50N03的产品特点：

• V_DS=30V

• I_D=50A

• R_DS(ON)＜12mΩ@V_GS=10V(Type：10.5mΩ)
  

低内阻MOS 50N03的应用领域：

• 锂电池保护

• 手机快充

低内阻MOS 50N03的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：30V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：50A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：75A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：24.2mJ

• 雪崩电流 I_AS：22A
  

• 总耗散功率 P_D：26W

• 结到环境的热阻 R_θJA：75℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：4.8℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

低内阻MOS 50N03的电特性：

(如无特殊说明，T_C=25℃)