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40P04 PDFN3X3-8L 国产低压MOS管
40P04 PDFN3X3-8L 国产低压MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:40P04
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:PMOS -40V/-40A 18mΩ 40P04 PDFN3X3-8L 国产低压MOS管 MOSFET参数
咨询热线:0769-89027776

产品详情


PMOS -40V/-40A 18mΩ 40P04 PDFN3X3-8L 国产低压MOS管 MOSFET参数



国产低压MOS管 40P04的引脚图:

  • VDS=-40V

  • ID=-40A

  • RDS(ON)<18mΩ@VGS=-10V(Type:15mΩ)



国产低压MOS管 40P04的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



国产低压MOS管 40P04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-40A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-120A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:125mJ

  • 总耗散功率 PD:25W

  • 结到环境的热阻 RθJA:85℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:5℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



国产低压MOS管 40P04的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-40-44
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-30A


1518
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-20A


1825
VGS(th)
栅极开启电压-1-1.6-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
25
nC
Qgs栅源电荷密度

11


Qgd栅漏电荷密度
9.5
Ciss输入电容
2760
pF
Coss输出电容
260
Crss反向传输电容
85
td(on)开启延迟时间
48
ns
tr开启上升时间

24


td(off)关断延迟时间
88
tf
开启下降时间
9.6


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