100VP沟道MOS管 30P10 TO-220 MOSFET应用 国内场效应管
100VP沟道MOS管 30P10的特点：
VDS=-100V
ID=-30A
RDS(ON)＜110mΩ@VGS=-10V
100VP沟道MOS管 30P10的应用：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
100VP沟道MOS管 30P10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -30 | A |
漏极电流-连续 TC=100℃ | -16 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -75 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 157.2 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 25 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 96 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.3 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
100VP沟道MOS管 30P10的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A | 78 | 95 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-8A | 86 | 110 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.7 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 24 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 44.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 9.13 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.93 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3029 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 129 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 76 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 27.4 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 79 | |||
| tf | 开启下降时间 | 53.6 |
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