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200VNMOS管 30N20 TO-220
200VNMOS管 30N20 TO-220
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:30N20
产品封装:TO-220
产品标题:200VNMOS管 30N20 TO-220 插件MOSFET 电源MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


200VNMOS管 30N20 TO-220 插件MOSFET 电源MOS管



200VNMOS管 30N20的产品特点:

  • VDS=200V

  • ID=30A

  • RDS(ON)<130mΩ@VGS=10V(Type:100mΩ)



200VNMOS管 30N20的应用领域:

  • UPS 不间断电源

  • PFC 功率因素校正



200VNMOS管 30N20的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:200V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:30A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:90A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:340mJ

  • 雪崩电流 IAS:20A

  • 重复雪崩能量 EAR:8.3mJ

  • 总耗散功率 PD:104W

  • 结到环境的热阻 RθJA:60℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.2℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



200VNMOS管 30N20的电特性 :

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压200225
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=9A


100130
VGS(th)
栅极开启电压234V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
41
nC
Qgs栅源电荷密度

5.5


Qgd栅漏电荷密度
19.5
Ciss输入电容
1318
pF
Coss输出电容
180
Crss反向传输电容
75
td(on)开启延迟时间
24
ns
tr开启上升时间

45


td(off)关断延迟时间
101
tf
开启下降时间
95


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