国产低压场效应管 20P03 PDFN3X3-8L 手机快充MOS管 30VPMOS管
手机快充MOS管 20P03的产品特点：
VDS=-30V
ID=-20A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=-10V
手机快充MOS管 20P03的产品应用：
锂电池保护
手机快充
手机快充MOS管 20P03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-20A
漏极电流-脉冲 IDM：-80A
单脉冲雪崩能量 EAS：16mJ
雪崩电流 IAS：-17A
总耗散功率 PD：16.6W
结到环境的热阻 RθJA：7.53℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
手机快充MOS管 20P03的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -32 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A | 18.8 | 25 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 30.5 | 40 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.7 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6.3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 900 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 140 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 120 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 25 | |||
| tf | 开启下降时间 | 7 |
扫二维码进入手机网站