P型MOSFET 20P02 SOT89-3L MOS管型号参数 电池保护MOS
电池保护MOS 20P02的引脚图：
电池保护MOS 20P02的产品应用：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
电池保护MOS 20P02的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-20V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续(TA=25℃) ID：-20A
漏极电流-脉冲 IDM：-60A
总耗散功率(TA=25℃) PD：431W
结到环境的热阻 RθJA：250℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：7.4℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
电池保护MOS 20P02的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-4.9A | 32 | 38 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-3.4A | 45 | 55 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=-1.8V,ID=-2A | 65 | 85 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.4 | -1 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 12.8 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 10.2 | 14.3 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.89 | 2.6 | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.1 | 4.3 | ||
| Ciss | 输入电容 | 857 | 1200 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 114 | 160 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 108 | 151 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 5.6 | 11.2 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 40.8 | 73 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 33.6 | 67 | ||
| tf | 开启下降时间 | 18 | 36 |
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