宇芯微 国产MOS 20P02 QFN2X2-6L -20V/-20A PMOSFET 18mΩ 低内阻MOS管
国产MOS 20P02的应用领域：
电子烟
负载开关
国产MOS 20P02的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-20V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续 ID：-20A
漏极电流-脉冲 IDM：-60A
总耗散功率 PD：2.4W
结到环境的热阻 RθJA：52℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：6.9℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
国产MOS 20P02的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | -22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 12 | 18 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-8.9A | 18 | 22 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=-1.8V,ID=-4.5A | 24 | 38 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.4 | -0.6 | -1 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | -3 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 21 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2138 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 685 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 650 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 30 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 48 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 97 | |||
| tf | 开启下降时间 | 65 |
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