30V N+PMOS管 15G03 PDFN3X3-8L 低内阻MOS管 国产MOSFET
N+PMOS管 15G03的引脚图：
N+PMOS管 15G03的产品特点：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=19.3A
RDS(ON)＜13mΩ@VGS=10V(Type：10mΩ)
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-16.5A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=-10V(Type：21mΩ)
N+PMOS管 15G03的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 28 | -19.7 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 22.5 | -17.5 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 84 | -59.1 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 89 | 78 | mJ |
| IAS | 单脉冲雪崩电流 | 34 | 33.1 | A |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 46 | 41.3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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