40V/12A LED照明用MOS管 12N04 ESOP-8 37mΩ 贴片MOSFET
贴片MOSFET 12N04的应用领域：
LED 灯
开关电子管
LED 电源供应
贴片MOSFET 12N04的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：42V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：12A
漏极电流-脉冲 IDM：38A
总耗散功率 PD：1.9W
结到环境的热阻 RθJA：40℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：65℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
贴片MOSFET 12N04的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 42 | 47 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=4A | 30 | 37 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 40 | 50 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 8 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.54 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.84 | |||
| Ciss | 输入电容 | 452 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 51 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 38 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 2.1 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 29 | |||
| tf | 开启下降时间 | 2.1 |
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