MOSFET选型 10N10 TO-252 100V/10A N沟道MOS管 国产芯片MOS
N沟道MOS管 10N10的管脚配置图：
N沟道MOS管 10N10的产品应用：
负载开关
UPS 不间断电源
N沟道MOS管 10N10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：10A
漏极电流-脉冲 IDM：24A
总耗散功率 PD：30W
结到环境的热阻 RθJA：62.5℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：80℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
N沟道MOS管 10N10的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | 120 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A | 240 | 280 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 260 | 300 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.85 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 14 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 9.7 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.7 | |||
| Ciss | 输入电容 | 508 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 29 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 16.4 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 1.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 19 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 13.6 | |||
| tf | 开启下降时间 | 19 |
扫二维码进入手机网站