8A/40V P+P沟道MOS管 8V04 SOP-8 低内阻场效应管 国产大芯片MOS

P+P沟道MOS管 8V04的管脚配置图：

P+P沟道MOS管 8V04的应用领域：

• 电池保护

• 负载开关

• UPS 不间断电源
  

P+P沟道MOS管 8V04的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：-40V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：-8.2A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：-36A

• 总耗散功率 P_D：3.1W

• 结到环境的热阻 R_θJA：85℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：40℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

P+P沟道MOS管 8V04的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)