低内阻场效应管 8P10 SOP-8 P型MOSFET 电源MOS管
电源MOS管 8P10的产品应用：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
电源MOS管 8P10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-8A
漏极电流-脉冲 IDM：-18A
单脉冲雪崩能量 EAS：56mJ
雪崩电流 IAS：3.1A
总耗散功率 PD：3.1W
结到环境的热阻 RθJA：59℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：16℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
电源MOS管 8P10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -100 | -110 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-6A | 83 | 110 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-3A | 95 | 120 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.8 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 24 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 20.1 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.9 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1051 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 119 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 25 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 30 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 77 | |||
| tf | 开启下降时间 | 81 |
扫二维码进入手机网站