MOSFET选型 6N40 TO-252 400V/6A 国产NMOS管 大功率MOS
国产NMOS管 6N40的产品特点：
VDS=400V
ID=6A
RDS(ON)＜1Ω@VGS=10V(Type：0.8Ω)
国产NMOS管 6N40的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：400V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：6A
漏极电流-脉冲 IDM：28A
单脉冲雪崩能量 EAS：176mJ
雪崩电流 IAR：7A
重复雪崩能量 EAR：18mJ
总耗散功率 PD：32.9W
结到环境的热阻 RθJA：13.3℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：3.8℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
国产NMOS管 6N40的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 400 | 440 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=3.5A | 0.8 | 1 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3.5 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 11 | |||
| Ciss | 输入电容 | 700 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 94 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 12 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 13 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 20 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 76 | |||
| tf | 开启下降时间 | 40 |
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