400V高压MOS管 5N40 TO-252 不间断电源MOS 大功率MOS
不间断电源MOS 5N40的应用领域：
UPS 不间断电源
PFC 功率因素校正
不间断电源MOS 5N40的引脚配置图：
不间断电源MOS 5N40的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：500V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：5A
漏极电流-脉冲 IDM：20A
单脉冲雪崩能量 EAS：90mJ
雪崩电流 IAS：3A
总耗散功率 PD：45W
结到环境的热阻 RθJA：60℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：4.1℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
不间断电源MOS 5N40的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 400 | 440 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=2.5A | 1.2 | 1.5 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3.5 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 13.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6 | |||
| Ciss | 输入电容 | 462 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 54.2 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 8.8 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 25 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 40 | |||
| tf | 开启下降时间 | 52 |
扫二维码进入手机网站