国产MOSFET 5N06 SOT-89-3L 低压MOS管 60V/5.8A 80mΩ 锂电池场效应管
国产MOSFET 5N06的特点：
VDS=60V
ID=5.8A
RDS(ON)＜80mΩ@VGS=10V(Type:65mΩ)
国产MOSFET 5N06的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：5.8A
漏极电流-脉冲 IDM：15A
单脉冲雪崩能量 EAS：6.2mJ
雪崩电流 IAS：10A
总耗散功率 PD：1.5W
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：25℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
国产MOSFET 5N06的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | 64 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 65 | 80 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A | 75 | 90 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 5.1 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 330 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 65 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 46 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 13 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 51 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 15.2 | |||
| tf | 开启下降时间 | 10.3 |
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