500V高压MOS管 3N50 TO-252 贴片NMOS管 国产大芯片
500V高压MOS管 3N50的应用领域：
UPS 不间断电源
PFC 功率因素校正
500V高压MOS管 3N50的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：500V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：3A
漏极电流-脉冲 IDM：12A
单脉冲雪崩能量 EAS：57mJ
雪崩电流 IAR：2.4A
重新雪崩能量 EAR：6.4mJ
总耗散功率 PD：32.9W
结到环境的热阻 RθJA：62.5℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：6.25℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
500V高压MOS管 3N50的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 500 | 550 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=3.5A | 2.4 | 3 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 310 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 39 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 6 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 33 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 23 | |||
| tf | 开启下降时间 | 59 |
扫二维码进入手机网站